ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА КИНЕТИКУ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38
Аннотация
В настоящее время разработано различные методы контроля, основанных на различных физических принципах и обладающих широким набором возможностей, различной чувствительностью, многообразием областей применения.
Список литературы
1. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления. М.: Высшая школа, 1987, 312 с.
2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1983, 384 с.
3. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. -М.: Высшая школа, 1984, -С.122.
Рецензия
Для цитирования:
Саркаров Т.Э. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА КИНЕТИКУ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;28(1):32-38. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38
For citation:
Sarkarov Т.E. THE INFLUENCE OF STRUCTURAL DEFECTS ON THE KINETICS OF DIFFUSION PROCESSES. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;28(1):32-38. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38