vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38vdgtu-25Research ArticleТЕПЛОФИЗИКАTHERMOPHYSICSВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА КИНЕТИКУ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВTHE INFLUENCE OF STRUCTURAL DEFECTS ON THE KINETICS OF DIFFUSION PROCESSESСаркаровТ. Э.SarkarovТ. E.2013240720162813238Copyright © Саркаров Т.Э., 20162016Саркаров Т.Э.Sarkarov Т.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/25

В настоящее время разработано различные методы контроля, основанных на различных физических принципах и обладающих широким набором возможностей, различной чувствительностью, многообразием областей применения.

At present there are various methods of control, based on various physical principles and possessing a wide variety of different sensitivity, diversity of applications.

подложкакремнийэпитаксияокислениедефектыдислокацияполупроводникитехнологияметодматериалкристаллическая структураобъемдиффузияповерхностная концентрацияsubstratesiliconepitaxyoxidationdefectsdislocationsemiconductorstechnologymethodmaterialcrystal structurevolumediffusionsurface concentrationReferencesЕфимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления. М.: Высшая школа, 1987, 312 с.Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления. М.: Высшая школа, 1987, 312 с.Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1983, 384 с.Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1983, 384 с.Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. -М.: Высшая школа, 1984, -С.122.Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. -М.: Высшая школа, 1984, -С.122.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.