ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА КИНЕТИКУ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38

Полный текст:


Аннотация

В настоящее время разработано различные методы контроля, основанных на различных физических принципах и обладающих широким набором возможностей, различной чувствительностью, многообразием областей применения.


Об авторе

Т. Э. Саркаров

Россия


Список литературы

1. Ефимов И.Е., Горбунов Ю.И., Козырь И.Я. Микроэлектроника. Проектирование, виды микросхем, новые направления. М.: Высшая школа, 1987, 312 с.

2. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. М.: Высшая школа, 1983, 384 с.

3. Пичугин И. Г., Таиров Ю. М. Технология полупроводниковых приборов. -М.: Высшая школа, 1984, -С.122.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Саркаров Т.Э. ВЛИЯНИЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ НА КИНЕТИКУ ДИФФУЗИОННЫХ ПРОЦЕССОВ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;28(1):32-38. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38

For citation: Sarkarov Т.E. THE INFLUENCE OF STRUCTURAL DEFECTS ON THE KINETICS OF DIFFUSION PROCESSES. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;28(1):32-38. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-32-38

Просмотров: 192

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)