НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22

Полный текст:


Аннотация

Описаны два типа нестандартных релаксаций индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ), наблюдаемых в фотопроводниках CdS, ZnSe, GaAs и др.) в зависимости от кинетических особенностей ловушек. В одном случае на стадии послевспышечного монотонного спада, характерной для релаксаций, связанных с медленными ловушками (отношение скорости захвата электрона к скорости рекомбинации (R<<1), фотоответ испытывает колебания низкой частоты (f=0.03-0.3 Гц). Релаксация второго типа свойственна быстрым фотоэлектрически ловушкам (R>>1): в измерениях на переменном сигнале (f > 20 Гц) кривые релаксации приобретают форму кривых обычной примесной фотопроводимости. Пронализированы электронные процессы, ответственные за нестандартные релаксации ИПФ. На примере быстрых центров, в состав которых входит характерный для АIIB VI донор Agi0, впервые в полупроводниках экспериментально исследована зависимость сечения захвата электронов ловушек от энергии, выделяемой при локализации.

Об авторах

Л. Б. Атлуханова

Россия


Ф. С. Габибов

Россия


М. А. Ризаханов

Россия


Список литературы

1. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., ГИФМЛ, 1963, 573 с.

2. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe, Физика и техника полупроводников, 1979, том 13, №1, 2030-2032

3. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSe в области отрицательного дифференциала сопротивления. Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №5, с. 998-1000

4. Девлин С.С. Свойства переноса. С.417-464 (в кн. Физика и химия соединений АII ВVI (пер. с англ. под ред. С.А. Медведева), М., изд. «Мир», 1970.

5. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Термическая ионизация электронной ловушки Ес -0.17 эВ в Zn0,97Cd0,03S(Cu,Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата, Письма в ЖТФ, 2012, т. 38, №1, 86-93.

6. Ризаханов М. А., Эмиров Ю.Н, Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, №.7, с. 1342-1345.

7. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №7, 1324-1328.

8. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdS, Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, №12, с 2407-2410.

9. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe, Письма в ЖТФ, 1985, т.11, №9, с.561-567.

10. Зобов Е.М., Гарягдиев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdS, обусловленные рапсределенными донор-донорными парами, Физика и техника полупроводников, 1987, т. 21, №9, с.1637-1641.

11. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe в среднем диапазоне ИК света., Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, №7, с. 1291-1293.

12. Габибов Ф.С. Глубокие электронные центры, обуславливающие равновесную фотопроводимость в CdSe в области hv>0,6 эВ. Фотоэлек трические явления в полупроводниках. Тезисы докл. II научной конференции, Ашхабад. Ылым. 1991, с. 39-40.

13. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках, 1981, Киев, "Наукова думка", 285 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Атлуханова Л.Б., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016;40(1):15-22. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22

For citation: Atlukhanova L.B., Gabibov F.S., Rizakhanov M.A. CUSTOM RELAXATION INDUCED IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY IN THE UNITED AII BVI and AIII BV. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2016;40(1):15-22. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22

Просмотров: 168

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)