НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22
Аннотация
Описаны два типа нестандартных релаксаций индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ), наблюдаемых в фотопроводниках CdS, ZnSe, GaAs и др.) в зависимости от кинетических особенностей ловушек. В одном случае на стадии послевспышечного монотонного спада, характерной для релаксаций, связанных с медленными ловушками (отношение скорости захвата электрона к скорости рекомбинации (R<<1), фотоответ испытывает колебания низкой частоты (f=0.03-0.3 Гц). Релаксация второго типа свойственна быстрым фотоэлектрически ловушкам (R>>1): в измерениях на переменном сигнале (f > 20 Гц) кривые релаксации приобретают форму кривых обычной примесной фотопроводимости. Пронализированы электронные процессы, ответственные за нестандартные релаксации ИПФ. На примере быстрых центров, в состав которых входит характерный для АIIB VI донор Agi0, впервые в полупроводниках экспериментально исследована зависимость сечения захвата электронов ловушек от энергии, выделяемой при локализации.
Список литературы
1. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., ГИФМЛ, 1963, 573 с.
2. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe, Физика и техника полупроводников, 1979, том 13, №1, 2030-2032
3. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSe в области отрицательного дифференциала сопротивления. Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №5, с. 998-1000
4. Девлин С.С. Свойства переноса. С.417-464 (в кн. Физика и химия соединений АII ВVI (пер. с англ. под ред. С.А. Медведева), М., изд. «Мир», 1970.
5. Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Термическая ионизация электронной ловушки Ес -0.17 эВ в Zn0,97Cd0,03S(Cu,Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата, Письма в ЖТФ, 2012, т. 38, №1, 86-93.
6. Ризаханов М. А., Эмиров Ю.Н, Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, №.7, с. 1342-1345.
7. Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №7, 1324-1328.
8. Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdS, Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, №12, с 2407-2410.
9. Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe, Письма в ЖТФ, 1985, т.11, №9, с.561-567.
10. Зобов Е.М., Гарягдиев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdS, обусловленные рапсределенными донор-донорными парами, Физика и техника полупроводников, 1987, т. 21, №9, с.1637-1641.
11. Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe в среднем диапазоне ИК света., Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, №7, с. 1291-1293.
12. Габибов Ф.С. Глубокие электронные центры, обуславливающие равновесную фотопроводимость в CdSe в области hv>0,6 эВ. Фотоэлек трические явления в полупроводниках. Тезисы докл. II научной конференции, Ашхабад. Ылым. 1991, с. 39-40.
13. Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках, 1981, Киев, "Наукова думка", 285 с.
Рецензия
Для цитирования:
Атлуханова Л.Б., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А. НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016;40(1):15-22. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22
For citation:
Atlukhanova L.B., Gabibov F.S., Rizakhanov M.A. CUSTOM RELAXATION INDUCED IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY IN THE UNITED AII BVI and AIII BV. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2016;40(1):15-22. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22
Просмотров:
671
Послать статью по эл. почте 
