vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2016-40-1-15-22vdgtu-83Research ArticleФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИЕ НАУКИPHYSICAL-MATHEMATICAL SCIENCEНЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BVCUSTOM RELAXATION INDUCED IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY IN THE UNITED AII BVI and AIII BVАтлухановаЛ. Б.AtlukhanovaL. B.ГабибовФ. С.GabibovF. S.РизахановМ. А.RizakhanovM. A.2016260720164011522Copyright © Атлуханова Л.Б., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А., 20162016Атлуханова Л.Б., Габибов Ф.С., Ризаханов М.А.Atlukhanova L.B., Gabibov F.S., Rizakhanov M.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/83

Описаны два типа нестандартных релаксаций индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ), наблюдаемых в фотопроводниках CdS, ZnSe, GaAs и др.) в зависимости от кинетических особенностей ловушек. В одном случае на стадии послевспышечного монотонного спада, характерной для релаксаций, связанных с медленными ловушками (отношение скорости захвата электрона к скорости рекомбинации (R<<1), фотоответ испытывает колебания низкой частоты (f=0.03-0.3 Гц). Релаксация второго типа свойственна быстрым фотоэлектрически ловушкам (R>>1): в измерениях на переменном сигнале (f > 20 Гц) кривые релаксации приобретают форму кривых обычной примесной фотопроводимости. Пронализированы электронные процессы, ответственные за нестандартные релаксации ИПФ. На примере быстрых центров, в состав которых входит характерный для АIIB VI донор Agi0, впервые в полупроводниках экспериментально исследована зависимость сечения захвата электронов ловушек от энергии, выделяемой при локализации.

Two types of non-standard relaxation induced impurity photoconductivity (IIP) observed in photoconductors CdS, ZnSe, GaAs and others, depending on the kinetic characteristics of the traps are described. In one case, at the stage of post flashing monotonic decay which is typical for relaxation associated with slow traps (the ratio of the speed of the electron capture to the recombination rate (R << 1), the photo response is experiencing vibrations of low frequency (f =0.03-0.3Hz). Relaxation of the second type characterized by rapid photoelectric traps (R >> 1): measurement alternating signal (f > 20 Hz) relaxation curves take the form of curves usual impurity photoconductivity. Electronic processes responsible for relaxation of non-standard IIP are analyzed. For example, fast-centers, which include the characteristic AIIBVI donor Agi0, for the first time in semiconductors experimentally, investigated the dependence of the cross section of electron capture by traps energy released during localization.

индуцированная фотопроводимостьэлектронная ло- вушкацентр рекомбинацииэнергия ионизациисечение захватаоптически активная ловушкафотоионизациямакронеоднородностиthe induced photoconductivityelectronic trapcenter of recombinationionising energysection of captureoptically an active trapphotoionizationmacroinhomogeneitiesReferencesРывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., ГИФМЛ, 1963, 573 с.S. Rivkin Photoelectric phenomena in semiconductors, M., GIFML 1963, 573 p.Ризаханов М. А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe, Физика и техника полупроводников, 1979, том 13, №1, 2030-2032Rizakhanov M.A., E.M. Zobov N-shaped rise and fluctuations in the impurity photocurrent in crystals CdSe <Cu>, physics and technology of semiconductors, 1979, vol 13, №1, рр. 2030-2032.Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSe в области отрицательного дифференциала сопротивления. Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №5, с. 998-1000Rizakhanov M.A., E.M. Zobov Adjusting the impurity in the light of current crystals CdSe <Au> in negative differential resistance. Physics and engineering of semiconductors, 1979, vol.13, №5, pp. 998-1000.Девлин С.С. Свойства переноса. С.417-464 (в кн. Физика и химия соединений АII ВVI (пер. с англ. под ред. С.А. Медведева), М., изд. «Мир», 1970.Devlin SS transfer properties. S.417-464 (in the book. Physics and chemistry of compounds AII VVI (trans. From English. Ed. S. Medvedev), M., ed., "Mir", 1970.Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Термическая ионизация электронной ловушки Ес -0.17 эВ в Zn0,97Cd0,03S(Cu,Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата, Письма в ЖТФ, 2012, т. 38, №1, 86-93.Zobov E.M., Zobov M.E., M.A. Rizakhanov Thermal ionization electronelectron traps Ec - 0.17 eV in Zn0,97Cd0,03S (Cu, Cl), lightweight elektromodulyatsiey its effective capture cross section, Technical Physics Letters, 2012, vol 38, №1, pp. 86-93.Ризаханов М. А., Эмиров Ю.Н, Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, №.7, с. 1342-1345.Rizakhanov M.A., JK Emirs, Habibov F.S., M.M. Khamidov, Sheinkman M.K. Nature orange luminescence in crystals CdS <Ag>, physics and technology of semiconductors, 1978, vol. 12, No. 7, pp.1342-1345.Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS, Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, №7, 1324-1328.Rizakhanov M.A., FS Habibov Spectral shifts bands induced impurity photoconductivity in crystals CdS <Ag>, physics and technology of semiconductors, 1979, vol .13, №7, pp.1324-1328.Ризаханов М. А., Зобов Е.М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdS, Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, №12, с 2407-2410.Rizakhanov M.A., E.M. Zobov impurity detector Uncooled IR medium range light on the basis of nonequilibrium Sensing CdS <Ag>, physics and technology of semiconductors, 1980, vol .14, №12, рр. 2407-2410.Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe, Письма в ЖТФ, 1985, т.11, №9, с.561-567.Rizakhanov M.A., M.M. Khamidov Fotostimulirovannye nonthermal effects of diffusion and donor associations in the crystals of ZnSe <Ag>, Technical Physics Letters, 1985, vol .11, №9, рр.561-567.Зобов Е.М., Гарягдиев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdS, обусловленные рапсределенными донор-донорными парами, Физика и техника полупроводников, 1987, т. 21, №9, с.1637-1641.E.M. Zobov, G.G.Garyagdy, M.A. Rizakhanov, New quasiline spectra induced impurity photoconductivity in CdS <Ag>, due rapsredelennymi donor-donor pairs, physics and technology of semiconductors, 1987, vol .21, №9, s.1637-1641.Зобов Е.М., Ризаханов М.А. Инжекционное очувствление симметричных МПМ структур на основе CdSe в среднем диапазоне ИК света., Физика и техника полупроводников, 1989, т.23, №7, с. 1291-1293.E.M. Zobov, M.A. Rizakhanov, Injection SENSITIVE JCI symmetric structures based on CdSe <Ag> in the middle range of IR light. Physics and technics of semiconductors, 1989, vol.23, №7, pр. 1291-1293.Габибов Ф.С. Глубокие электронные центры, обуславливающие равновесную фотопроводимость в CdSe в области hv>0,6 эВ. Фотоэлек трические явления в полупроводниках. Тезисы докл. II научной конференции, Ашхабад. Ылым. 1991, с. 39-40.F.S. Habibov, Deep electronic centers, causing the equilibrium photoconductivity in CdSe <Ag> in hν> 0,6 eV. Photoelectric phenomena in semiconductors. Abstracts. II conference, Ashgabat. Ylym. 1991, pр. 39-40.Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках, 1981, Киев, "Наукова думка", 285 с.V.E.Lashkarev, A.V. Lubchenco, M.K.Sheinkman Non-equilibrium processes in photoconductors, 1981, Kiev, "Naukova Dumka", 285 p.G.Ascarelli, S.Rodriguez, Recombination of electron and Donors in n-type Germanum , Phys.Rev., 1961, vol.124, pp. 1321-1327.G.Ascarelli, S.Rodriguez, Recombination of electron and Donors in n-type Germanum , Phys.Rev., 1961, vol.124, pp. 1321-1327.J.M. Steydio Photoconductive d´ impurites dans le Sulfure de Cadmium dope Cuirve,- Ann. Soc. Sci., Bruxselles, 1974, vol.88, №1, pр. 357-380.J.M. Steydio Photoconductive d´ impurites dans le Sulfure de Cadmium dope Cuirve,- Ann. Soc. Sci., Bruxselles, 1974, vol.88, №1, pр. 357-380.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.