ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК SIO2
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62
Аннотация
В статье рассматриваются результаты плазмохимического травления диоксида кремния во фторсодержащей среде при изготовлении полупроводниковых приборов. Поставлено и рассмотрено решение задачи получения сглаженного микрорельефа контактных окон в SiO2 других материалах. Решение поставленной задачи тесно связано с решением проблемы изотропного плазмохимического травления, когда скорость бокового (горизонтального) травления равна скорости вертикального, что позволяет получать сглаженные стенки структур при максимальном уходе размеров на границе с фоторезистом или другим маскирующим покрытием.
Об авторах
Т. А. Исмаилов
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет». Заслуженный деятель науки РФ, г. Махачкала
Россия
Россия
факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
кафедра теоретической и общей электротехники
доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой. Ректор
П. Р. Захарова
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет», г. Махачкала
Россия
аспирант
Россия
аспирант
Б. А. Шангереева
ФГБОУ ВПО «Дагестанский гос- ударственный технический университет», г. Махачкала
Россия
Россия
факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
кафедра теоретической и общей электротехники
кандидат технических наук, доцент кафедры
А. Р. Шахмаева
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет», г. Махачкала
Россия
Россия
факультет повышения квалификации и переподготовки
кандидат технических наук, доцент, декан
Список литературы
1. Кремниевые планарные транзисторы./ Под редакцией Я.А. Федотова. М., «Советское радио», 1973 г.
2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М., 1991, С118-122.
3. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем –М.: «Высшая школа», 1986, -С.107.
Рецензия
Для цитирования:
Исмаилов Т.А., Захарова П.Р., Шангереева Б.А., Шахмаева А.Р. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК SIO2. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2014;35(4):56-62. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62
For citation:
Ismailov T.A., Zakharova P.R., Shangereeva B.A., Shakhmaeva A.R. RESEARCH PROCESS PLASMA ETCHING SIO2 MEMBRANE. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2014;35(4):56-62. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62
Просмотров: 669
Послать статью по эл. почте 
