Preview

Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки

Расширенный поиск

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК SIO2

https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62

Аннотация

В статье рассматриваются результаты плазмохимического травления диоксида кремния во фторсодержащей среде при изготовлении полупроводниковых приборов. Поставлено и рассмотрено решение задачи получения сглаженного микрорельефа контактных окон в SiO2 других материалах. Решение поставленной задачи тесно связано с решением проблемы изотропного плазмохимического травления, когда скорость бокового (горизонтального) травления равна скорости вертикального, что позволяет получать сглаженные стенки структур при максимальном уходе размеров на границе с фоторезистом или другим маскирующим покрытием. 

Об авторах

Т. А. Исмаилов
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет». Заслуженный деятель науки РФ, г. Махачкала
Россия

факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики

кафедра теоретической и общей электротехники

доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой. Ректор 



П. Р. Захарова
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет», г. Махачкала
Россия
аспирант


Б. А. Шангереева
ФГБОУ ВПО «Дагестанский гос- ударственный технический университет», г. Махачкала
Россия

факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики 

кафедра теоретической и общей электротехники

кандидат технических наук, доцент кафедры



А. Р. Шахмаева
ФГБОУ ВПО «Дагестанский государственный технический университет», г. Махачкала
Россия

факультет повышения квалификации и переподготовки

кандидат технических наук, доцент, декан 



Список литературы

1. Кремниевые планарные транзисторы./ Под редакцией Я.А. Федотова. М., «Советское радио», 1973 г.

2. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М., 1991, С118-122.

3. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем –М.: «Высшая школа», 1986, -С.107.


Рецензия

Для цитирования:


Исмаилов Т.А., Захарова П.Р., Шангереева Б.А., Шахмаева А.Р. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК SIO2. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2014;35(4):56-62. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62

For citation:


Ismailov T.A., Zakharova P.R., Shangereeva B.A., Shakhmaeva A.R. RESEARCH PROCESS PLASMA ETCHING SIO2 MEMBRANE. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2014;35(4):56-62. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2014-35-4-56-62

Просмотров: 613


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)