факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
кафедра теоретической и общей электротехники
доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой. Ректор
аспирант
факультет компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
кафедра теоретической и общей электротехники
кандидат технических наук, доцент кафедры
факультет повышения квалификации и переподготовки
кандидат технических наук, доцент, декан
В статье рассматриваются результаты плазмохимического травления диоксида кремния во фторсодержащей среде при изготовлении полупроводниковых приборов. Поставлено и рассмотрено решение задачи получения сглаженного микрорельефа контактных окон в SiO2 других материалах. Решение поставленной задачи тесно связано с решением проблемы изотропного плазмохимического травления, когда скорость бокового (горизонтального) травления равна скорости вертикального, что позволяет получать сглаженные стенки структур при максимальном уходе размеров на границе с фоторезистом или другим маскирующим покрытием.
The article discusses the results of plasma chemical etching of silicon dioxide in the fluorine-containing medium in the manufacture of semiconductor devices. Delivered and processed to obtain the solution of the smoothed microrelief contact windows in SiO2 other materials. The solution of the problem is closely connected with the problem of an isotropic plasma chemical etching, when the rate of lateral (horizontal) equal to the speed of the vertical etching, which allows to obtain smooth wall structures with maximum care dimensions on the border with photoresist or other masking coating.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.