Preview

Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки

Расширенный поиск

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРОБИВНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ

https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-26-31

Полный текст:

Аннотация

Проведена оценка влияния конструкции и технологии формирования транзисторной структуры на значение пробивного напряжения. Получены зависимости в САПР TCAD Synopsys для пробивного напряжения от величины поверхностного заряда различных конструктивных исполнений транзистора.

Об авторе

А. Р. ШАХМАЕВА

Россия


Список литературы

1. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. Транзисторные структуры силовой электроники.- Спб.: Политехника, 2011. – 126 с.

2. B.S. Avset, L. Evensen The effect of metal field plates on multiguard structures with

3. floating p+ guard rings// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1996. Vol. 377.

4. P. 397-403.

5. Малеев С.А. и др. Проектирование на ЭВМ ограничительных колец с учётом заряда

6. в диэлектрике// Электронная техника. Полупроводниковые приборы., - М.: 2007. M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.F. Ferro Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring// IEEE Transactions on electron Devices, 1997. Vol. ED 24. No 2. P. 107-112


Рецензия

Для цитирования:


ШАХМАЕВА А.Р. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРОБИВНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;28(1):26-31. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-26-31

For citation:


Shakhmaeva A.R. RESEARCH OF INTERRELATION OF A DESIGN AND MANUFACTURING TECHNIQUES OF SEMI-CONDUCTOR DEVICES WITH THEIR PENETRATIVE PRESSURE. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;28(1):26-31. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-26-31

Просмотров: 572


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)