vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-26-31vdgtu-24Research ArticleПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫSEMICONDUCTORY MATERIALS AND INSTRUMENTSИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРОБИВНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМRESEARCH OF INTERRELATION OF A DESIGN AND MANUFACTURING TECHNIQUES OF SEMI-CONDUCTOR DEVICES WITH THEIR PENETRATIVE PRESSUREШАХМАЕВАА. Р.ShakhmaevaA. R.2013240720162812631Copyright © ШАХМАЕВА А.Р., 20162016ШАХМАЕВА А.Р.Shakhmaeva A.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/24

Проведена оценка влияния конструкции и технологии формирования транзисторной структуры на значение пробивного напряжения. Получены зависимости в САПР TCAD Synopsys для пробивного напряжения от величины поверхностного заряда различных конструктивных исполнений транзистора.

The estimation of influence of a design and technology of formation of transistor structure on value of penetrative pressure is spent. Dependences in SAD TCAD Synopsys for penetrative pressure from size of a superficial charge of various designs of the transistor are received.

транзисторпробойпробивное напряжениеповерхностный зарядохранное кольцоthe transistorbreakdownpenetrative pressuresuperficial chargesecurity ringReferencesИсмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. Транзисторные структуры силовой электроники.- Спб.: Политехника, 2011. – 126 с.Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. Транзисторные структуры силовой электроники.- Спб.: Политехника, 2011. – 126 с.B.S. Avset, L. Evensen The effect of metal field plates on multiguard structures withB.S. Avset, L. Evensen The effect of metal field plates on multiguard structures withfloating p+ guard rings// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1996. Vol. 377.floating p+ guard rings// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1996. Vol. 377.P. 397-403.P. 397-403.Малеев С.А. и др. Проектирование на ЭВМ ограничительных колец с учётом зарядаМалеев С.А. и др. Проектирование на ЭВМ ограничительных колец с учётом зарядав диэлектрике// Электронная техника. Полупроводниковые приборы., - М.: 2007. M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.F. Ferro Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring// IEEE Transactions on electron Devices, 1997. Vol. ED 24. No 2. P. 107-112в диэлектрике// Электронная техника. Полупроводниковые приборы., - М.: 2007. M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.F. Ferro Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring// IEEE Transactions on electron Devices, 1997. Vol. ED 24. No 2. P. 107-112

The authors declare that there are no conflicts of interest present.