ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОКИСНЫХ СЛОЕВ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33

Полный текст:


Аннотация

Пленки окисла кремния играют исключительно большую роль в процессе создания кремниевых структур и полупроводниковых приборов. Статья посвящена методам формирования окисных слоев, которые включают в себя: термическое окисление, анодирование в растворах электролитов, пиролитическое осаждение (осаждение из газовой фазы) и плазменное анодирование, или окисление.


Об авторе

Б. А. Шангереева
Дагестанский государственный технический университет
Россия

кандидат технических наук, старший преподаватель кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики 



Список литературы

1. Пленочная микроэлектроника. Перевод с англ. Под ред. М.И. Елинсона. Изд.-во. «МИР», 1968.

2. Технология СБИС под редакцией С.Зи. в 2-х кн.. –М.:,1986, -с174-226.

3. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов Ю.М. Таиров В.Ф.Цветков Москва «Высшая школа» 1990г


Дополнительные файлы

Для цитирования: Шангереева Б.А. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОКИСНЫХ СЛОЕВ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):26-33. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33

For citation: Shangereeva B.A. THE MAIN METHODS OF FORMATION OF OXIDE LAYERS IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND IP. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):26-33. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33

Просмотров: 192

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)