ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОКИСНЫХ СЛОЕВ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33
Аннотация
Пленки окисла кремния играют исключительно большую роль в процессе создания кремниевых структур и полупроводниковых приборов. Статья посвящена методам формирования окисных слоев, которые включают в себя: термическое окисление, анодирование в растворах электролитов, пиролитическое осаждение (осаждение из газовой фазы) и плазменное анодирование, или окисление.
Об авторе
Б. А. Шангереева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
кандидат технических наук, старший преподаватель кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
Список литературы
1. Пленочная микроэлектроника. Перевод с англ. Под ред. М.И. Елинсона. Изд.-во. «МИР», 1968.
2. Технология СБИС под редакцией С.Зи. в 2-х кн.. –М.:,1986, -с174-226.
3. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов Ю.М. Таиров В.Ф.Цветков Москва «Высшая школа» 1990г
Рецензия
Для цитирования:
Шангереева Б.А. ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОКИСНЫХ СЛОЕВ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):26-33. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33
For citation:
Shangereeva B.A. THE MAIN METHODS OF FORMATION OF OXIDE LAYERS IN THE PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND IP. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):26-33. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-26-33
Просмотров: 599
Послать статью по эл. почте 
