ИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАНАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ БСИТ - ТРАНЗИСТОРА СРЕДНЕЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОСТИ


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21

Полный текст:


Аннотация

Пробивное напряжение и сопротивление являются определяющими характеристиками в технологии формирования структуры силового прибора. В данной статье проведены исследование и анализ зависимостей сопротивления канальной области кристалла от его конструктивно-технологических и температурных параметров для Биполярного со статической индукцией транзистора (далее БСИТ–транзистора) средней высоковольтности.


Об авторе

П. Р. Захарова
Дагестанский государственный технический университет
Россия

старший преподаватель кафедры вычислительной техники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики



Список литературы

1. Дудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией: Сборник тезисов докладов научно-технической конференции БГУИР №2. – Минск, 2005 г.

2. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001. - 64 с.

3. Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы.- М.: Физматлит, 2006.-424с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Захарова П.Р. ИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАНАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ БСИТ - ТРАНЗИСТОРА СРЕДНЕЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОСТИ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):15-21. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21

For citation: Zakharova P.R. RESEARCH AND THE ANALYSIS OF CHANGE OF PARAMETERS IN THE CHANNEL OF AVERAGE HIGH-VOLTAGE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):15-21. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21

Просмотров: 175

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)