.png)
.png)
Послать статью по эл. почте 
ИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАНАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ БСИТ - ТРАНЗИСТОРА СРЕДНЕЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОСТИ
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21
Аннотация
Пробивное напряжение и сопротивление являются определяющими характеристиками в технологии формирования структуры силового прибора. В данной статье проведены исследование и анализ зависимостей сопротивления канальной области кристалла от его конструктивно-технологических и температурных параметров для Биполярного со статической индукцией транзистора (далее БСИТ–транзистора) средней высоковольтности.
Об авторе
П. Р. ЗахароваРоссия
старший преподаватель кафедры вычислительной техники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
Список литературы
1. Дудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией: Сборник тезисов докладов научно-технической конференции БГУИР №2. – Минск, 2005 г.
2. Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001. - 64 с.
3. Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы.- М.: Физматлит, 2006.-424с.
Дополнительные файлы
Для цитирования: Захарова П.Р. ИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАНАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ БСИТ - ТРАНЗИСТОРА СРЕДНЕЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОСТИ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):15-21. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21
For citation: Zakharova P.R. RESEARCH AND THE ANALYSIS OF CHANGE OF PARAMETERS IN THE CHANNEL OF AVERAGE HIGH-VOLTAGE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):15-21. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21
Обратные ссылки
- Обратные ссылки не определены.
