vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2013-29-2-15-21vdgtu-120Research ArticleПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫSEMICONDUCTORY MATERIALS AND INSTRUMENTSИССЛЕДОВАНИЕ И АНАЛИЗ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ КАНАЛЬНОЙ ОБЛАСТИ БСИТ - ТРАНЗИСТОРА СРЕДНЕЙ ВЫСОКОВОЛЬТНОСТИRESEARCH AND THE ANALYSIS OF CHANGE OF PARAMETERS IN THE CHANNEL OF AVERAGE HIGH-VOLTAGE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTORЗахароваП. Р.ZakharovaP. R.

старший преподаватель кафедры вычислительной техники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики

zpatimat@bk.ruДагестанский государственный технический университетRussian Federation2013270720162921521Copyright © Захарова П.Р., 20162016Захарова П.Р.Zakharova P.R.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/120

Пробивное напряжение и сопротивление являются определяющими характеристиками в технологии формирования структуры силового прибора. В данной статье проведены исследование и анализ зависимостей сопротивления канальной области кристалла от его конструктивно-технологических и температурных параметров для Биполярного со статической индукцией транзистора (далее БСИТ–транзистора) средней высоковольтности.

When developing a technology of power device’s structure generation the breakdown voltage and the resistance of silicon substrate are constitutive parameters. Modern generation methods allow to create a structure based on fragile materials which behavior directly depends on the breakdown voltage and the resistance of chosen materials in the depth of structure. In this paper the work on determination the crystal’s channel resistance dependence of its structural parameters for the average high-voltage BSIT is done.

пробивное напряжениесопротивление каналатехнологияконструктивные параметрыкремниевая подложкаbreakdown voltagestructural resistancegeneration technologystructural parameterssilicon substrateReferencesДудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией: Сборник тезисов докладов научно-технической конференции БГУИР №2. – Минск, 2005 г.Дудар Н.Л. Моделирование кремниевого транзистора со статической индукцией: Сборник тезисов докладов научно-технической конференции БГУИР №2. – Минск, 2005 г.Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001. - 64 с.Отечественные транзисторы: БСИТ, СИТ, БТИЗ. - М.: Издательский дом «Додэка-ХХI», 2001. - 64 с.Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы.- М.: Физматлит, 2006.-424с.Барыбин А.А. Электроника и микроэлектроника. Физико-технологические основы.- М.: Физматлит, 2006.-424с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.