ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКИМ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУР


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11

Полный текст:


Аннотация

В статье рассмотрено термоэлектрическое устройство, у которого нагретые спаи пространственно отдалены от холодных спаев для уменьшения паразитных кондуктивных потерь между этими спаями.


Об авторах

С. М. Гаджиева
Дагестанский государственный техническый университет
Россия

кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики



Д. А. Челушкин
Дагестанский государственный техническый университет
Россия

аспирант кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики



Список литературы

1. Анатычук Л.И. Термоэлектричество Т2. – Киев: Букрек, 2003. – 386 с.

2. Патент РФ, № 2335825. Термоэлектрическое устройство с высоким градиентом

3. температур/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М. Опубл. 10.10.2008. Бюл. 28.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Гаджиева С.М., Челушкин Д.А. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКИМ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУР. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):7-11. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11

For citation: Gadjiyevа S.M., Chelushkin D.A. A THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A HIGH TEMPERATURE GRADIENT. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):7-11. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11

Просмотров: 190

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)