ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКИМ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУР
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11
Аннотация
В статье рассмотрено термоэлектрическое устройство, у которого нагретые спаи пространственно отдалены от холодных спаев для уменьшения паразитных кондуктивных потерь между этими спаями.
Об авторах
С. М. Гаджиева
Дагестанский государственный техническый университет
Россия
Россия
кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
Д. А. Челушкин
Дагестанский государственный техническый университет
Россия
Россия
аспирант кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики
Список литературы
1. Анатычук Л.И. Термоэлектричество Т2. – Киев: Букрек, 2003. – 386 с.
2. Патент РФ, № 2335825. Термоэлектрическое устройство с высоким градиентом
3. температур/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М. Опубл. 10.10.2008. Бюл. 28.
Рецензия
Для цитирования:
Гаджиева С.М., Челушкин Д.А. ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКИМ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУР. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):7-11. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11
For citation:
Gadjiyevа S.M., Chelushkin D.A. A THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A HIGH TEMPERATURE GRADIENT. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;29(2):7-11. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11
Просмотров: 582
Послать статью по эл. почте 
