<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">vdgtu</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2073-6185</issn><issn pub-type="epub">2542-095X</issn><publisher><publisher-name>Daghestan State Technical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.21822/2073-6185-2013-29-2-7-11</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">vdgtu-117</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ПРИБОРОСТРОЕНИЕ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>INSTRUMENT-MAKING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВЫСОКИМ ГРАДИЕНТОМ ТЕМПЕРАТУР</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>A THERMOELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A HIGH TEMPERATURE GRADIENT</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гаджиева</surname><given-names>С. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gadjiyevа</surname><given-names>S. M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Челушкин</surname><given-names>Д. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Chelushkin</surname><given-names>D. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>аспирант кафедры теоретической и общей электротехники факультета компьютерных технологий, вычислительной техники и энергетики</p></bio><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff xml:lang="ru" id="aff-1"><institution>Дагестанский государственный техническый университет</institution><country>Russian Federation</country></aff><pub-date pub-type="collection"><year>2013</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>27</day><month>07</month><year>2016</year></pub-date><volume>29</volume><issue>2</issue><fpage>7</fpage><lpage>11</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Гаджиева С.М., Челушкин Д.А., 2016</copyright-statement><copyright-year>2016</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Гаджиева С.М., Челушкин Д.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Gadjiyevа S.M., Chelushkin D.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/117">https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/117</self-uri><abstract><p>В статье рассмотрено термоэлектрическое устройство, у которого нагретые спаи пространственно отдалены от холодных спаев для уменьшения паразитных кондуктивных потерь между этими спаями.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>In the article the thermoelectric device, which heated junctions spatially distant from the cold junctions to reduce parasitic losses between the conductive junctions.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>термоэлектрическое устройство</kwd><kwd>градиент температур</kwd><kwd>паразитные кондуктивные потери</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>thermoelectric device</kwd><kwd>temperature gradient</kwd><kwd>conductive parasitic losses</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Анатычук Л.И. Термоэлектричество Т2. – Киев: Букрек, 2003. – 386 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Анатычук Л.И. Термоэлектричество Т2. – Киев: Букрек, 2003. – 386 с.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ, № 2335825. Термоэлектрическое устройство с высоким градиентом</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Патент РФ, № 2335825. Термоэлектрическое устройство с высоким градиентом</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">температур/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М. Опубл. 10.10.2008. Бюл. 28.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">температур/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М. Опубл. 10.10.2008. Бюл. 28.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
