ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-31-37

Аннотация

Обосновано, что перспективным направлением развития силовой элетроники являются интеллектуальные силовые компоненты: интегрированные силовые микросхемы, ключи и модули. Систематизированы приборы силовой электроники в области коммутируемых токов до 50 А. Обобщены результаты проведенного исследования технологии изготовления структуры полевого полупроводникового транзистора типа КП 961. Решена задача оптимизации технологии изготовления транзисторных структур силовой электроники с целью улучшения выходных характеристик и надежности прибора. Особое внимание уделяется способам повышения надежности, стабильности и долговечности работы транзисторов в различных режимах и условиях эксплуатации. С целью совершенствования технологии были получены расчетные модели формирования областей стоковой и затворной области, проведены экспериментальные исследования. Предложены оптимизированные процессы этапов формирования исследуемой структуры транзистора. Построены графики зависимостей на структурах транзисторов, выращенных по приведенной технологии. Разработан маршрут технологии изготовления структуры полевого транзистора типа КП 961.


Об авторах

Т. Э. Саркаров

Россия


Б. А. Шангереева

Россия


А. Р. Шахмаева

Россия


Список литературы

1. Электроника: Наука, Технология, Бизнес 3/2007. -26-29 с.

2. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники: учебн. пособие, М.: Высшее образование, Юрайт-Издат. 2009.-463 с.

3. Взаимозаменяемые транзисторы. Справочник. Петухов В. М. -2-е изд., cтереотип.-М.: ИП РадиоСофт, 2011.-384 с.

4. Транзисторы: Справочник/О. П. Григорьев, В. Я. Замятин, Б. В. Кондратьев, С. Л. Пожидаев -М.: Радио и связь, 1989. -272 с.

5. Полевые транзисторы. Справочник. Гришина Л. М., Павлов В. В. -М.: Радио и связь, 1982. -72 с.


Дополнительные файлы

Для цитирования: Саркаров Т.Э., Шангереева Б.А., Шахмаева А.Р. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016;40(1):31-37. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-31-37

For citation: Sarkarov T.E., Shangereeva B.A., Shakhmaeva A.R. TECHNOLOGY OF MANUFACTURING OF TRANSISTOR STRUCTURES POWER ELECTRONICS. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2016;40(1):31-37. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-40-1-31-37

Просмотров: 287

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)