Полноэкранный режим

Для цитирования: Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Юсуфов Ш.А., Казалиева Э. Метод формирования контактного слоя титан-германий для термостабилизации транзисторов. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2020;47(4):49-56. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2020-47-4-49-56

For citation: Ismailov T.A., Shakhmayeva A.R., Yusufov S.A., Kazalieva E. Method for forming a titanium-germanium contact layer for thermostabilization of transistors. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2020;47(4):49-56. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2020-47-4-49-56

Просмотров: 137

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)