КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ)
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-42-3-83-91
Аннотация
Об авторах
Т. А. Исмаилов
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой теоретической и общей электротехники, ректор, Заслуженный деятель науки РФ,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
А. Р. Шахмаева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
кандидат технических наук, декан факультета повышения квалификации и переподготовки, доцент кафедры программного обеспечения вычислительной техники и автоматизированных систем,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
Б. А. Шангереева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
кандидат технических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
Список литературы
1. Исмаилов Т.А., Шахмаева А. Транзисторные структуры силовой электроники/ СПб.:Политехника, 2011.-125 с.
2. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Букашев Ф.И., Захарова П.Р.Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов/ М.: Академия, 2012.-252 с.
3. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Пат. 2013100528/28 Рос. Федерация:МПК H01L 29/70, № 2524145; заявл. 09.01.2013;опубл. 27.07.2014 Бюл. №21.-6с.
4. Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М. Новый технологический маршрут изготовления биполярного транзистора со статической индукцией// МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Одесса.-, 2016., С. 150-151.
5. Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Разработка типовой структуры нормально-закрытого БСИТ-транзистора// Фундаментальная наука и технологии - перспективные разработки: материалы международной научно-практической конференции, 22-23 мая 2013 г.– М., 2013.-С. 158-160.
6. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технология напыления наноразмерных слоев четырех металлов (Cr-Ni-Sn-Ag) для формирования стоковой области биполярного со статической индукцией транзистора (БСИТ). Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы материаловедения и наноматериалов: труды VIII Международной конференции.- 9-10 июня 2011.- М: Изд-во МИСиС, 2011.-С.815-823.
7. Патент №2524145 Российская Федерация, МПК H01L 29/70. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- №2013100528/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.07.2014 Бюл. №21.- 6с.
8. Патент №2534439 Российская Федерация, МПК H01L 21/58. Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- №2013100562/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.11.2014. Бюл. №33.-4с.
9. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки.- 2011.- Т. 20 - №1- С. 6-10.
10. Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов. Вестник Саратовского государственного технического университета. -2012.-Т.63 - №1- С. 36-40.
11. Wang Y., Feng J., Liu C. et al. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science in China Series F: Information Sciences, 2012, 55(4): 962.
12. Napoli E. and Strollo A.G. Static Induction Transistors. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 2014, pp.1–6.
13. Meenakshi Mataray et al. Modern Power Semiconductor Devices. (IJCSIT) International Journal of Computer Science and Information Technologies, 2012, vol.3, no.4, pp. 4571–4574.
14. Belkacem1a G., Lefebvre1 S., Joubert P. et al. Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2014, 66, pp. 20-102
15. Jiang Y., Zeng C., Du H. et al. Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology. Journal of Semiconductors, 2012, 33 (3): 962.
16. Shaohua Lu and Farid Boussaid. An Inductorless Self-Controlled Rectifier for Piezoelectric Energy Harvesting. Sensors, 2015, p.15.
Рецензия
Для цитирования:
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ). Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016;42(3):83-91. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-42-3-83-91
For citation:
Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R., Shangereeva B.A. STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL PARAMETERS AFFECTING THE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR (BSIT ) RESISTANCE. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2016;42(3):83-91. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2016-42-3-83-91
Просмотров: 406
Послать статью по эл. почте 
