доктор технических наук, профессор, заведующий кафедрой теоретической и общей электротехники, ректор, Заслуженный деятель науки РФ,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
doctor of technical Sciences, Professor, head of Department of theoretical and General electrical engineering, the rector, Honored worker of science of the Russian Federation,
70 I. Shamil Ave, Makhachkala, 367015
кандидат технических наук, декан факультета повышения квалификации и переподготовки, доцент кафедры программного обеспечения вычислительной техники и автоматизированных систем,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
candidate of technical Sciences, Dean of Faculty training and retraining, Associate Professor of Department of Software computer technology and automated systems,
70 I. Shamil Ave, Makhachkala, 367015
кандидат технических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники,
367015 г. Махачкала, пр. И. Шамиля, 70
candidate of technical Sciences, associate Professor of Department of theoretical and General electrical engineering,
70 I. Shamil Ave, Makhachkala, 367015
Цель. Целью исследования является определение влияния конструктивных и технологических параметров на сопротивление биполярных со статической индукцией транзисторов.
Методы. В работе приведен сравнительный анализа преимущества биполярных со статической индукцией транзистора по сравнению с биполярными мощными транзисторами, МОП-транзисторами и биполярными транзисторами с изолированным затвором (БТИЗ). Рассмотрены конструктивно-технологические параметры, влияющие на сопротивление БСИТ-транзистора.
Результат. В результате экспериментальных исследований на кремниевых подложках были сформированы опытные образцы структуры БСИТ-транзистора, проведены расчетные и экспериментальные работы. Получены графики зависимости сопротивления ячейки транзистора от толщины эпитаксиальной пленки; зависимости сопротивления ячейки БСИТ-транзистора от эффективной длины затвора при различных значениях концентрации примеси в эпитаксиальной пленке; зависимости сопротивления ячейки транзистора от длины затвора при различных значениях толщины эпитаксиальной пленки; зависимости сопротивления ячейки БСИТ-транзистора от расстояния между маской для р-области и затвором; зависимости произведения сопротивления ячейки на ее площадь от длины затвора.
Вывод. При увеличении длины затвора (lз) и длины маски для р-области (lp+) в структуре транзистора, сопротивление уменьшается и зависимость параметра произведения сопротивления ячейки на ее площадь Q от длины затвора имеет при этом минимум.
Aim. The aim of the study is to determine the impact of structural and technological parameters on the resistance of the bipolar static induction transistor.
Methods. The paper provides a comparative analysis of the advantages of bipolar static induction transistor compared to the bipolar power transistors, MOSFETs and insulated-gate bipolar transistor (IGBT). Considered are structural and technological parameters that influence the resistance of BSIT-transistor.
Result. As a result of experimental study on silicon substrates were formed test prototypes of BSIT transistor structure, are presented calculation and experimental works. Obtained are the resistance dependencies of the transistor cell on the thickness of the epitaxial film; the resistance dependencies of BSIT transistor cell on the effective gate length for different values of the impurity concentration in the epitaxial film; dependencies resistance of the transistor cell on the gate length at different values of the epitaxial film thickness; the resistance dependencies of BSIT transistor cell on the distance between the mask for the p-region and the gate; dependencies on the multiplication the cell resistance by its area on the gate length.
Conclusion. When increasing the gate length (Lk) and the mask length for the p-region (lp +) in the transistor structure, the resistance decreases and the dependence of multiplication of the cell resistance by its area Q on the gate length has this case the minimum.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.