СВЕТОТРАНЗИСТОР
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10
Аннотация
В статье рассмотрена возможность cформировать один p-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.
Об авторах
Т. А. ИсмаиловРоссия
Х. М. Гаджиев
Россия
С. М. Гаджиева
Россия
Т. Д. Нежведилов
Россия
Т. А. Челушкина
Россия
Рецензия
Для цитирования:
Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. СВЕТОТРАНЗИСТОР. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;28(1):7-10. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10
For citation:
Ismailov T.A., Gadjiyev H.M., Gadjiyevа S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. SVETOTRANZISTOR. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;28(1):7-10. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10