СВЕТОТРАНЗИСТОР


https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10

Полный текст:


Аннотация

В статье рассмотрена возможность cформировать один p-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.


Для цитирования: Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. СВЕТОТРАНЗИСТОР. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;28(1):7-10. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10

For citation: Ismailov T.A., Gadjiyev H.M., Gadjiyevа S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. SVETOTRANZISTOR. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2013;28(1):7-10. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2013-0-1(28)-7-10

Просмотров: 168

Обратные ссылки

  • Обратные ссылки не определены.


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2073-6185 (Print)
ISSN 2542-095X (Online)