Для цитирования:

Казалиева Э., Шахмаева А.Р. Улучшение тепловых свойств прибора в процессе формирования контакта с коллекторной областью кремниевого транзистора. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2022;49(3):6-13. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2022-49-3-6-13

For citation:

Kazalieva E., Shakhmaeva A.R. Improving the thermal properties of the device in the process of forming a contact with the collector region of a silicon transistor. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2022;49(3):6-13. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2022-49-3-6-13