Прецизионный термоэлектрический полупроводниковый датчик
https://doi.org/10.21822/2073-6185-2021-48-4-6-15
Аннотация
Цель. Целью исследования является разработка прецизионного термоэлектрического полупроводникового датчика.
Метод. В ходе исследования применен балансный метод, основанный на том, что вместо перепада температур термомодуль будет измерять совпадение температур.
Результат. Применение термоэлектрического полупроводникового датчика уменьшает погрешность при измерении температуры окружающей среды либо исследуемого объекта. Термоэлектрический полупроводниковый датчик с эффектом Пельтье может функционировать в экономном режиме, не затрачивая энергию на измерение температуры.
Вывод. Термоэлектрический полупроводниковый датчик функционирует в адаптивном режиме измерения температур, позволяя настраивать функциональный датчик для измерения температуры с необходимой точностью в зависимости от исследуемого объекта, а также стабилизировать границу расплава или кипения в контейнере, находящимся в контакте с цифровым термоэлектрическим устройством.
Об авторах
С. М. Гаджиева
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
Гаджиева Солтанат Магомедовна, кандидат физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и общей электротехники
367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля,70
Т. А. Челушкина
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
Челушкина Татьяна Алексеевна, кандидат технических наук, доцент кафедры радиотехники, телекоммуникаций и микроэлектроники
367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля,70
Д. С. Гаджиев
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
Гаджиев Даниял Солтанович, аспирант кафедры теоретической и общей электротехники
367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля,70
П. С. Магомедова
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
Магомедова Патимат Солтановна, аспирантка кафедры теоретической и общей электротехники
367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля,70
И. М. Курбанов
Дагестанский государственный технический университет
Россия
Россия
Курбанов Ислам Магомедович, аспирант кафедры теоретической и общей электротехники
367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля,70
Список литературы
1. Патент РФ №2405230, МПК: H01L 23/38, H05K 7/20, G06F 1/20. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.//опубл. 27.11.2010. Бюл. №33.
2. Патент РФ №2487436. Светотранзистор/ Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.//опубл. 10.07.2013. Бюл. №19
3. Патент РФ на изобретение №2507613. Каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.//опубл. 20.02.2014. Бюл. №5.
4. Патент РФ на изобретение №2507632. Светотранзистор с высоким быстродействием / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Юсуфов Ш.А.//опубл. 20.02.2014.
5. Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. СПб.: Политехника, 2005.
6. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Охлаждение радиоэлектронных систем: учебное пособие. Махачкала: ИПЦ ДГТУ, 2012. 165 с.
7. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Термоэлектрическое охлаждение тепловыделяющих компонентов микроэлектронной техники. М.: «Академия», 2012; 136 с.
8. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Гаджиева С.М. Тонкопленочные термоэлектрические устройства с отводом тепла в виде излучения для охлаждения микросистемной техники //Научное приборостроение. 2013. Т.23. №3. С.120-124.
9. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Челушкина Т.А., Челушкин Д.А. Высокоэффективные полупроводниковые термоэлектрические устройства и приборы. Махачкала: ИПЦ ФГБОУ ВПО «ДГТУ», 2014.112 с.
10. Исмаилов Т.А. Гаджиев Х.М. Микроэлектронные компоненты с интегральным использованием эффекта Пельтье и оптического излучения. Махачкала: ИПЦ ФГБОУ ВО «ДГТУ», 2015. 112 с.
11. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Магомедова П.А., Челушкина Т.А. Энергоэффективный теплоотвод на основе многокаскадного термоэлектрического устройства с применением диодов Ганна//Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2015. Т. 39. № 4. С. 14-20.
12. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А. Применение полупроводниковых термоэлектрических устройств для охлаждения тепловыделяющих компонентов цифровых активных фазированных антенных решеток // Неделя науки - 2016. Материалы XXXVII итоговой научно-технической конференции ДГТУ. 2016. С. 56-57.
13. Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Магомедова П.А., Челушкин Д.А. Энергоэффективный полупроводниковый термоэлектрический тепловой насос спирального типа//Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016. Т. 41. № 2. С. 49-60.
14. Анатычук Л.И. Термоэлектричество. Т.2. Термоэлектрические преобразователи энергии. Киев, Черновцы: Институт термоэлектричества, 2003. 386 c.
15. Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Дроздов Ю. Н., Звонков Б. Н., Iikawa F., Brasil M. J. S. P. Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих δ<Mn>-легированные слои // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 2. С. 9-12.
16. Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Шкурко А.С. Излучающие полупроводниковые электронные приборы в цифровых активных фазированных антенных решетках //Перспективы модернизации современной науки. Сборник статей Международной научно-практической конференции. 2015. С. 14-15.
17. Дмитриев А. И., Таланцев А. Д., Зайцев С. В., Данилов Ю. А., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Коплак О. В., Моргунов Р. Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля δ-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 2011. Т. 140. № 1. С. 158-169.
18. Дорохин М. В., Данилов Ю. А. Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур: учебнометодическое пособие. Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2011.
19. Holub M., Bhattacharya P. Spin-polarized light-emitting diodes and lasers. Journal of Physics D: Applied Physics. 2007. Vol. 40. Nо. 2. рр. R179-R203.
20. Govorov A. O., Kalameitsev A. V. Optical properties of a semiconductor quantum dot with a single magnetic impurity: photoinduced spin orientation. Physical Review B. 2005. Vol. 71. Nо. 3. рр. 035338-1-5.
Рецензия
Для цитирования:
Гаджиева С.М., Челушкина Т.А., Гаджиев Д.С., Магомедова П.С., Курбанов И.М. Прецизионный термоэлектрический полупроводниковый датчик. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2021;48(4):6-15. https://doi.org/10.21822/2073-6185-2021-48-4-6-15
For citation:
Gadzhieva S.M., Chelushkina T.A., Gadzhiev D.S., Magomedova P.S., Kurbanov I.M. Precision thermoelectric semiconductor sensor. Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences. 2021;48(4):6-15. (In Russ.) https://doi.org/10.21822/2073-6185-2021-48-4-6-15
Просмотров:
361
Послать статью по эл. почте 
