Поиск


Сортировать по:     
 
Выпуск Название
 
Том 38, № 3 (2015) ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SiC)1-x(AlN)x, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. А. Билалов, М. К. Гусейнов, Г. К. Сафаралиев
"... . The basic technological parameters of process magnetron sedimentation of films (SiC)1-x(AlN)x are calculated.  ..."
 
Том 35, № 4 (2014) ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК SIO2 Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Исмаилов, П. Р. Захарова, Б. А. Шангереева, А. Р. Шахмаева
 
Том 44, № 3 (2017) ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНЫЙ ОПРЕСНИТЕЛЬ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Исмаилов, Х. М. Гаджиев, К. М. Давыдова, П. А. Магомедова, Т. А. Челушкина
"... Objectives. The aim of the research is to develop a thin-film semiconductor thermoelectric heat ..."
 
Том 29, № 2 (2013) ОСНОВНЫЕ МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ ОКИСНЫХ СЛОЕВ В ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИС Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Б. А. Шангереева
"... Film silicon oxide plays an important role in the process of creating silicon structures ..."
 
Том 42, № 3 (2016) КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Б. А. Шангереева
"... of the epitaxial film; the resistance dependencies of BSIT transistor cell on the effective gate length ..."
 
Том 41, № 2 (2016) МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ОБРАЗОВАНИЯ ЛЬДА НА ТЕПЛООБМЕННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОПРЕСНИТЕЛЯ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
А. М. Гаджиев, Ш. А. Юсуфов
"... plant with the continuous process of freezing of ice on heat transfer surface with a film mode of fluid ..."
 
Том 48, № 1 (2021) МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ ДЛЯ ВИЗУАЛИЗАЦИИ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ ОБЪЕКТОВ Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
О. В. Евдулов, Р. А.-М. Магомадов, К. А. Магомедова, Э. А. Джабраилова
"... fields of flat objects using a liquid crystal film. Its feature is to increase the accuracy ..."
 
Том 47, № 4 (2020) Метод формирования контактного слоя титан-германий для термостабилизации транзисторов Аннотация  PDF (Rus)  похожие документы
Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Ш. А. Юсуфов, Э. Казалиева
"... parameters of thin-film metal layers, the formation technology of which determines the reliability ..."
 
1 - 8 из 8 результатов

Советы по поиску:

  • Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
  • Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
  • По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
  • Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
  • Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
  • Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
  • Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
  • Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)