<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">vdgtu</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Herald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2073-6185</issn><issn pub-type="epub">2542-095X</issn><publisher><publisher-name>Daghestan State Technical University</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.21822/2073-6185-2020-47-4-20-26</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">vdgtu-873</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ, МЕТАЛЛУРГИЧЕСКОЕ И ХИМИЧЕСКОЕ МАШИНОСТРОЕНИЕ</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>POWER, METALLURGICAL AND CHEMICAL MECHANICAL ENGINEERING</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Проектирование энергоэффективной быстродействующей компьютерной техники на основе экономичных светотранзисторов</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Kurbanova. Design of energy-efficient high-speed computer equipment based on cost-effective light transistors</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Гаджиев</surname><given-names>Х. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Gadgiev</surname><given-names>H. M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Гаджиев Хаджимурат Магомедович, кандидат технических наук, доцент, заведующий кафедрой радиотехники, телекоммуникаций и микроэлектроники</p><p>367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля, 70</p><p> </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Khadzhimurat M. Gadjiev, Сand. Sci. (Technical), Assoc. Prof., Head of the Department of Radio engineering, telecommunications and microelectronics</p><p>70 I. Shamil Ave., Makhachka 367026</p></bio><email xlink:type="simple">gadjiev.xad@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Исмаилова</surname><given-names>Ш. Т.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Ismailova</surname><given-names>Sh. T.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Исмаилова Шани Тагировна, доктор экономических наук, профессор, заведующая кафедрой экономической теории</p><p>367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля, 70</p><p> </p></bio><bio xml:lang="en"><p>Shani T. Ismailova, Dr. Sci.(Economics), Prof., Head of the Department of Economic theory</p><p>70 I. Shamil Ave., Makhachka 367026</p></bio><email xlink:type="simple">shani717@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Курбанова</surname><given-names>П. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kurbanova</surname><given-names>P. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Курбанова Патимат Арсланалиевна, аспирантка кафедры теоретической и общей электротехники, старший преподаватель кафедры теоретической и общей электротехники</p><p>367026, г. Махачкала, пр. И.Шамиля, 70</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Patimat A. Kurbanova, Post-graduate Student, Department of theoretical and General electrical engineering, Senior Lecturer, Department of theoretical and General electrical engineering</p><p>70 I. Shamil Ave., Makhachka 367026</p></bio><email xlink:type="simple">magomedova-pa@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Дагестанский государственный технический университет</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Daghestan State Technical University</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2020</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>20</day><month>01</month><year>2021</year></pub-date><volume>47</volume><issue>4</issue><fpage>20</fpage><lpage>26</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Гаджиев Х.М., Исмаилова Ш.Т., Курбанова П.А., 2021</copyright-statement><copyright-year>2021</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Гаджиев Х.М., Исмаилова Ш.Т., Курбанова П.А.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Gadgiev H.M., Ismailova S.T., Kurbanova P.A.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/873">https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/873</self-uri><abstract><sec><title>Цель</title><p>Цель. В статье рассматриваются вопросы формирования экономичных светотранзисторов для создания быстродействующих энергоэффективных компьютерных структур, способных с высоким быстродействием и точностью решать многочисленные задачи. Для этого используются полупроводниковые структуры различного типа, способные испускать и поглощать фотоны для приема и передачи цифровой информации.</p></sec><sec><title>Метод</title><p>Метод. Применение зеркальных электродов позволяет осуществить многократное переотражение сгенерированных фотонов внутри светотранзистора для того, чтобы рекуперировать всю сгенерированную энергию в электричество. Это повышает энергоэффективность транзистора в целом и позволяет реализовать компьютерные устройства с высокой экономичностью, решающие различные задачи.</p></sec><sec><title>Результат</title><p>Результат. Большая часть полезной энергии информационного сигнала будет переноситься от одного электрода к другому, причем перемещение будет иметь более высокую скорость за счет использования фотонов, а не дрейфующих электронов, а также это косвенно увеличит быстродействие светового транзистора во много раз на несколько порядков и позволит эффективно решить задачу реализации более мощных и быстродействующих транзисторов с большей экономической выгодой.</p></sec><sec><title>Вывод</title><p>Вывод. Докащаны перспективы для реализации быстродействующих энергоэффективных компьютерных структур на основе, как биполярных транзисторов, так и униполярных транзисторов, а также тиристоров, лазеров и других полупроводниковых компонентов в светоизлучающих структурах.</p></sec></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><sec><title>Objective</title><p>Objective. The article deals with the formation of cost-effective light transistors for creating high-speed energy-efficient computer structures that can solve numerous problems with high speed and accuracy. For this purpose, various types of semiconductor structures are used that can emit and absorb photons for receiving and transmitting digital information.</p></sec><sec><title>Methods</title><p>Methods. The use of mirror electrodes allows for repeated re-reflection of the generated photons inside the light transistor to recover all the generated energy into electricity. This increases the energy efficiency of the transistor as a whole and allows implementing computer devices with high efficiency in solving various tasks.</p></sec><sec><title>Results</title><p>Results. Most of the useful energy of the information signal is transferred from one electrode to another, and the movement has a higher speed due to the use of photons, rather than drifting electrons, and this indirectly increases the speed of the light transistor by several orders of magnitude and effectively solves the problem of implementing more powerful and high-speed transistors with greater economic benefits.</p></sec><sec><title>Conclusion</title><p>Conclusion. Prospects for the implementation of high-speed energy-efficient computer structures based on both bipolar transistors and unipolar transistors, as well as thyristors, lasers, and other semiconductor components in light-emitting structures have been developed.</p></sec></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>экономичный</kwd><kwd>светотранзистор</kwd><kwd>излучающий переход</kwd><kwd>поглощающий переход</kwd><kwd>компьютер DESIGN</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>economical</kwd><kwd>light transistor</kwd><kwd>emitting junction</kwd><kwd>absorbing junction</kwd><kwd>computer</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2288555. Термоэлектрический теплоотвод / ИсмаиловТ.А., ГаджиевХ.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Гафуров К.А., опубл. 27.11.2006.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2288555. Termoelektricheskiy teplootvod / IsmailovT.A., GadzhiyevKH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D., Gafurov K.A., opubl. 27.11.2006. [RF patent №2288555. Thermoelectric heat removal / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D., Gafurov K.A., publ. November 27, 2006. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2335825. Термоэлектрическое устройство с высоким градиентом температур / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., опубл. 10.10.2008.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2335825. Termoelektricheskoye ustroystvo s vysokim gradiyentom temperatur / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., opubl. 10.10.2008. [RF patent No. 2335825. Thermoelectric device with a high temperature gradient / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., publ. 10.10.2008. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2360380. Устройство для термостатирования компьютерного процессора / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д. //Б.И. № 18, 2009.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2360380. Ustroystvo dlya termostatirovaniya komp'yuternogo protsessora / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D. //B.I. № 18, 2009. [RF patent No. 2360380. A device for thermostating a computer processor / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D. // B. I. No. 18, 2009. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2369894. Термоэлектрическое устройство термостабилизации компонентов вычислительных систем с высокими тепловыделениями / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д. // Б.И. № 28, 2009.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2369894. Termoelektricheskoye ustroystvo termostabilizatsii komponentov vychislitel'nykh sistem s vysokimi teplovydeleniyami / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D. // B.I. № 28, 2009. [RF patent No. 2369894. Thermoelectric device for thermal stabilization of components of computer systems with high heat release / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D. // B.I. No. 28, 2009. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2405230. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. // Б.И. № 33, 2010.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2405230. Sposob otvoda tepla ot teplovydelyayushchikh elektronnykh komponentov v vide izlucheniya / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. № 33, 2010. [RF patent №2405230. Method of heat removal from heat-generating electronic components in the form of radiation / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. No. 33, 2010. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2449417. Способ охлаждения полупроводниковых тепловыделяющих электронных компонентов через биметаллические термоэлектрические электроды / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. // Б.И. № 12, 2012.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2449417. Sposob okhlazhdeniya poluprovodnikovykh teplovydelyayushchikh elektronnykh komponentov cherez bimetallicheskiye termoelektricheskiye elektrody / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. № 12, 2012. [RF patent No. 2449417. Method of cooling semiconductor heat-generating electronic components through bimetallic thermoelectric electrodes / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov TD, Chelushkina T.A. // B.I. No. 12, 2012. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2487436. Светотранзистор / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А., опубл. 10.07.2013.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2487436. Svetotranzistor / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A., opubl. 10.07.2013. [RF patent No. 2487436. Svetotransistor / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A., publ. 10.07.2013. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2507613. Каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. // Б.И. № 5, 2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2507613. Kaskadnoye svetoizluchayushcheye termoelektricheskoye ustroystvo / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. № 5, 2014. [RF patent No. 2507613. Cascade light-emitting thermoelectric device / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Gadzhieva S.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. No. 5, 2014. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ №2507632. Светотранзистор с высоким быстродействием / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Юсуфов Ш.А. // Б.И. № 5, 2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF №2507632. Svetotranzistor s vysokim bystrodeystviyem / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Nezhvedilov T.D., Yusufov SH.A. // B.I. № 5, 2014. [RF patent No. 2507632. Light transistor with high speed / Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Nezhvedilov T.D., YusufovSh.A. // B.I. No. 5, 2014. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2534954. Устройство для охлаждения компьютерного процессора с применением возгонки / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д. // Б.И. № 34, 2014.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2534954. Ustroystvo dlya okhlazhdeniya komp'yuternogo protsessora s primeneniyem vozgonki / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Nezhvedilov T.D. // B.I. № 34, 2014. [RF patent No. 2534954. A device for cooling a computer processor using sublimation / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Gadzhieva SM, Nezhvedilov TD. // B.I. No. 34, 2014. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2562742. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов на основе применения полупроводниковых лазеров / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. // Б.И. № 25, 2015.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2562742. Sposob otvoda tepla ot teplovydelyayushchikh elektronnykh komponentov na osnove primeneniya poluprovodnikovykh lazerov / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Nezhvedilov T.D., Chelushkina T.A. // B.I. № 25, 2015. [RF patent № 2562742. Method of heat removal from heat-generating electronic components based on the use of semiconductor lasers / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Nezhvedilov TD, Chelushkina TA // B.I. No. 25, 2015. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2562744. Светотиристор/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Челушкин Д.А., Челушкина Т.А. // Б.И. № 25, 2015.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2562744. Svetotiristor/Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Chelushkin D.A., Chelushkina T.A. // B.I. № 25, 2015. [RF patent No. 2562744. Light thyristor / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Gadzhieva SM, Chelushkin DA, Chelushkina TA // B.I. No. 25, 2015 (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2575618. Термоэлектрическое устройство с тонкопленочными полупроводниковыми ветвями и увеличенной поверхностью теплоотвода / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Челушкин Д.А. // Бюл. №5, 2016.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2575618. Termoelektricheskoye ustroystvo s tonkoplenochnymi poluprovodnikovymi vetvyami i uvelichennoy poverkhnost'yu teplootvoda / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Chelushkina T.A., Chelushkin D.A. // Byul. №5, 2016. [RF patent No. 2575618. Thermoelectric device with thin-film semiconductor legs and increased heat sink surface / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Chelushkina TA, Chelushkin DA // Bul. No. 5, 2016. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2593443. Светотранзистор с двумя излучающими переходами / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Челушкина Т.А., Челушкин Д.А. // Бюл. №22, 2016.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2593443. Svetotranzistor s dvumya izluchayushchimi perekhodami / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Chelushkina T.A., Chelushkin D.A. // Byul. №22, 2016. [RF patent No. 2593443. Light transistor with two emitting transitions / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Gadzhieva SM, Chelushkina TA, Chelushkin DA // Bul. No. 22, 2016. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2702019. 3-D принтер для печати изделий, состоящих из различных по электрофизическим свойствам материалов / Каблов Е.Н., Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Челушкина Т.А., Шкурко А.С. // Б.И. № 10, 2019.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2702019. 3-D printer dlya pechati izdeliy, sostoyashchikh iz razlichnykh po elektrofizicheskim svoystvam materialov / Kablov Ye.N., Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Chelushkina T.A., Shkurko A.S. // B.I. № 10, 2019. [RF patent No. 2702019. 3-D printer for printing products, consisting of materials of various electrophysical properties / Kablov E.N., Ismailov T.A., GadzhievKh.M., Chelushkina T.A., Shkurko A. FROM. // B.I. No. 10, 2019. (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Патент РФ № 2 587 534. Экономичный световой транзистор / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Челушкина Т.А., Магомедова П.А. // Дата подачи заявки: 2014.12.08.Опубликовано: 2016.06.20</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Patent RF № 2 587 534. Ekonomichnyy svetovoy tranzistor / Ismailov T.A., Gadzhiyev KH.M., Gadzhiyeva S.M., Chelushkina T.A., Magomedova P.A. // Data podachi zayavki: 2014.12.08.Opublikovano: 2016.06.20 [RF patent № 2 587 534. Economical light transistor / Ismailov TA, GadzhievKh.M., Gadzhieva SM, Chelushkina TA, Magomedova PA // Application date: 2014.12.08. Published: 2016.06.20 (In Russ)]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Anatychuk L.I. Physics of Thermoelectricity. Kyiv, Chernivtsi: Institute of Thermoelectricity . 1998.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Anatychuk L.I. Physics of Thermoelectricity. Kyiv, Chernivtsi: Institute of Thermoelectricity. 1998.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Lyon J.R. Overview of Industry Interest in New Thermoelectric Materials // Thermoelectric Materials - New Directions and Approachis. MRS, 1997.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lyon J.R. Overview of Industry Interest in New Thermoelectric Materials // Thermoelectric Materials - New Directions and Approachis. MRS, 1997.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Tardiff David W., Dore-North Lyne. Thermal modeling speeds up design. Electron. Packag. and Prod. 1994, No.9.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Tardiff David W., Dore-North Lyne. Thermal modeling speeds up design. - Electron. Packag. and Prod. 1994, no. 9.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Wartonowez Т., Czarnecki A. Thermoelectric Cascade for Cryosurgical Destroyer // Proceedings of the 16th Int. Conf. jnThermoelectrics, Dresden, Germany, 1997, p.705.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Wartonowez T., Czarnecki A. Thermoelectric Cascade for Cryosurgical Destroyer // Proceedings of the 16th Int. Conf. jnThermoelectrics, Dresden, Germany, 1997, p.705.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
