vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2013-31-4-33-37vdgtu-241Research ArticleПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫSEMICONDUCTORY MATERIALS AND INSTRUMENTSТЕРМОЭДС УЗКОЗОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА n-InSb В ПОПЕРЕЧНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕTEMPERATURE AND MAGNETIC FIELD DEPENDENCES OF THERMOELECTRIC POWER IN ELECTRONIC ANTIMONIDE INDIUMГаджиалиевМ. М.GadjialievM. M.

доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией “Физики полупроводников”

ПирмагомедовЗ. Ш.PirmagomedovZ. Sh.

научный сотрудник лаборатории “Физики полупроводников”

ЭфендиеваТ. Н.EfendievaT. N.

научный сотрудник лаборатории “Физикиполупроводников” 

Институт физики им. Амирханова Х.И.Russian Federation2013040820163143337Copyright © Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н., 20162016Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н.Gadjialiev M.M., Pirmagomedov Z.S., Efendieva T.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/241

Экспериментально исследована термоэдс электронного антимонида индия с n=21014 см-3 в поперечном магнитном поле до 7 кОе в интервале температур от 4,8 до 120 К.Найдено, что при температуре близкой к 56 К термоэдс не зависит от поля.

We have researched the thermoelectric power of electronic antimonide indium with n=21014 cm-3 in a transverse magnetic field up to 7 kOe in temperature intervals from 4.8 K to 120 K. The thermoelectric power is found to be independent from the energy field at the temperature close to 56 K.

магнитное полеэлектронная доля термоэдсантимонид индиямагнетотермоэдсрелаксация импульса электронаmagnetic fieldthermal emf electronic fractionindium antimonidemagnet thermal emfmomentum relaxationReferencesБ.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М. Наука, 1985).Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М. Наука, 1985).Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961).Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961).И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964).И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964).S.M. Puri, and T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964).S.M. Puri, and T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964).S.M. Puri. Phys. Rev., 139, 995 (1965).S.M. Puri. Phys. Rev., 139, 995 (1965).М.М. Гаджиалиев. ФТП, 36, 282 (2002)М.М. Гаджиалиев. ФТП, 36, 282 (2002)

The authors declare that there are no conflicts of interest present.