vdgtuВестник Дагестанского государственного технического университета. Технические наукиHerald of Dagestan State Technical University. Technical Sciences2073-61852542-095XDaghestan State Technical University10.21822/2073-6185-2015-38-3-15-20vdgtu-198Research ArticleМЕХАНИКАMECHANICSИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SiC)1-x(AlN)x, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯRESEARCH OF STRUCTURE AND COMPOSITION OF FILMS SOLID SOLUTION (SIC)1-X (ALN)X, RECEIVED BY METHOD MAGNETRON DEPOSITIONБилаловБ. А.BilalovB. A.

факультет радиоэлектроники, телекоммуникаций и мультимедийных технологий

кафедра микроэлектроники

доктор физико-математических наук, профессор 

bil-bilal@yandex.ruГусейновМ. К.GusejnovM. K.

факультет радиоэлектроники телекоммуникаций и мультимедийных технологий 

кафедра физики

кандидат физико-математических наук, старший преподаватель 

m_guseynov@mail.ruСафаралиевГ. К.SafaralievG. K.

доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАН, научный руководитель

bil-bilal@yandex.ruФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет», г. МахачкалаRussian FederationНИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий», ФГБОУ ВО «Дагестанский государственный технический университет», г. МахачкалаRussian Federation2015020820163831520Copyright © Билалов Б.А., Гусейнов М.К., Сафаралиев Г.К., 20162016Билалов Б.А., Гусейнов М.К., Сафаралиев Г.К.Bilalov B.A., Gusejnov M.K., Safaraliev G.K.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnik.dgtu.ru/jour/article/view/198

Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al2O3 получены тонкие пленки твердого раствора (SiC)1-x(AlN)x.Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры и состава этих пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC)1-x(AlN)x на подложках SiC. Рассчитаны основные технологические параметры процесса магнетронного осаждения пленок (SiC)1-x(AlN)x. 

Method of magnetron sputtering targets polycrystalline SiC-AlN on substrates SiC and Al2O3 thin films received solid solutions (SiC)1-x(AlN)x. The methods of Xray and electron microscopy studies the structure and composition of films. There are factors that determine the composition and structure of films, as well as conditions for the formation of monocrystalline films of (SiC)1-x(AlN)x to the substrate SiC. The basic technological parameters of process magnetron sedimentation of films (SiC)1-x(AlN)x are calculated. 

карбид кремниятвердые растворытехнология получения пленок (SiC)1-x(AlN)xsilicon carbidesolid solutionssynthesizing technology of films (SiC)1-x(AlN)xReferencesНурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. //Изв. АН СССР. Неорг. Мат-лы. Т.22, Вып. 10, с.1872-1874 (1986).Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. //Изв. АН СССР. Неорг. Мат-лы. Т.22, Вып. 10, с.1872-1874 (1986).Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М.. Изв. РАН. Неорг. матер., № 6. (1995).Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М.. Изв. РАН. Неорг. матер., № 6. (1995).Ласка В.Л., Митрофанов А.П., Карманенко С.Ф.// Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1985. В.1 (106), 101 с.Ласка В.Л., Митрофанов А.П., Карманенко С.Ф.// Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1985. В.1 (106), 101 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.